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Analog Devices Inc. HMC637BPM5E單片微波集成電路 (MMIC)

Analog Devices Inc. HMC637BPM5E單片微波集成電路 (MMIC) 是砷化鎵 (GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、共源共柵分布式功率放大器。在正常操作中，單片微波集成電路 (MMIC) 是自偏置的，而且具有可選偏置控制功能。后者用于靜態(tài)電流 (IDQ) 調(diào)整和對(duì)二階交調(diào)截點(diǎn) (IP2) 和三階交調(diào)截點(diǎn) (IP3) 進(jìn)行優(yōu)化。該放大器的工作頻率為直流至7.5GHz，提供15.5dB的小信號(hào)增益、28dBm輸出功率（1dB增益壓縮）。該器件還具有一個(gè)典型的39dBm輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)，噪聲系數(shù)為3.5dB，同時(shí)要求由12V電源電壓 (VDD) 提供345mA的電流。

HMC637BPM5E非常適合用于軍事、空間和測(cè)試設(shè)備應(yīng)用，直流至7.5GHz的增益平坦度為±0.5 dB（典型值）。HMC637BPM5E還具有內(nèi)部匹配至50Ω的輸入/輸出 (I/O)。

這些器件封裝在符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的5×5 mm預(yù)模制腔內(nèi)，采用引線框架芯片尺寸封裝（LFCSP）。這使得該器件兼容大容量、表面貼裝技術(shù) (SMT) 組裝設(shè)備。

FEATURES

P1dB輸出功率：285dBm（典型值）
增益：15.5dB（典型值）
輸出IP3：典型值為39dBm
50Ω匹配輸入/輸出

VDD端自偏置 = 電流為345mA時(shí)為12V（典型值）
- 對(duì)VGG1的可選偏置控制，以便對(duì)IDQ進(jìn)行調(diào)整
- 對(duì)VGG2的可選偏置控制，以便對(duì)IP2和IP3進(jìn)行優(yōu)化
32-引腳，5×5mm，LFCSP封裝：25mm2

應(yīng)用

軍事和太空
測(cè)試儀器儀表

框圖

Block Diagram - Analog Devices Inc. HMC637BPM5E單片微波集成電路 (MMIC)

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Analog Devices Inc. HMC637BPM5E單片微波集成電路 (MMIC)

FEATURES

應(yīng)用

框圖