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晶體管
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FDC5614P
型號:FDC5614P
功能類別:晶體管 ,

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產品參數


【型號】: FDC5614P



【封裝】: SSOT-6



【品牌】: ON Semiconductor



【包裝】:3000



【品質】:


百分百全新原廠原裝正品

FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 3A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 105 毫歐 @ 3A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 759pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SuperSOT?-6
封裝/外殼 SOT-23-6 細型,TSOT-23-6





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