国产一卡2卡3卡4卡新区视频,中国真实偷乱视频,在线亚洲高清揄拍自拍一品区,最近中文字幕免费大全百度

給你一顆正品的芯

晶體管

產(chǎn)品中心

首頁 >> 產(chǎn)品中心 >> 晶體管

IPB123N10N

型號：IPB123N10N
功能類別：晶體管 ,

立即咨詢

◆ 專注現(xiàn)貨供應,承諾只做原裝正品！實時報價,最快當天發(fā)貨！
◆ 您可通過電話、郵件或在線QQ方式與銷售代表聯(lián)系詢價及采購

產(chǎn)品參數(shù)

【型號】: IPB123N10N

【封裝】: TO263-3

【品牌】: Infineon Technologies

【包裝】:1000

【品質】:

FET 類型	N 溝道
技術	MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）	100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）	58A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）	12.3 毫歐 @ 46A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 46μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）	35nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）	2500pF @ 50V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	94W（Tc）
工作溫度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型	表面貼裝
供應商器件封裝	D2PAK（TO-263AB）
封裝/外殼	TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

百分百全新原廠原裝正品

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 58A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 12.3 毫歐 @ 46A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 46μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 35nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 94W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 D2PAK（TO-263AB）

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

業(yè)務咨詢
業(yè)務咨詢
業(yè)務咨詢