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【型號】: IRF630NS
【封裝】: TO-263-3
【品牌】: Infineon Technologies
【包裝】:
800
【品質(zhì)】:
百分百全新原廠原裝正品
FET 類型 | N 溝道 | |
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技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) | |
漏源電壓(Vdss) | 200V | |
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) | 9.3A(Tc) | |
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) | 300 毫歐 @ 5.4A,10V | |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250μA | |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) | 35nC @ 10V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) | 575pF @ 25V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 82W(Tc) | |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK | |
封裝/外殼 | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB |