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晶體管

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IRFP260M

型號：IRFP260M
功能類別：晶體管 ,

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產(chǎn)品參數(shù)

【型號】: IRFP260M

【封裝】: TO-247AC

【品牌】: Infineon Technologies

【包裝】:400

【品質】:

FET 類型	N 溝道
技術	MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）	200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）	50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）	40 毫歐 @ 28A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）	234nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）	4057pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	300W（Tc）
工作溫度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型	通孔
供應商器件封裝	TO-247AC
封裝/外殼	TO-247-3

百分百全新原廠原裝正品

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 200V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 50A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 40 毫歐 @ 28A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 234nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4057pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 300W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-247AC

封裝/外殼 TO-247-3

業(yè)務咨詢
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