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晶體管

產(chǎn)品中心

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NTMFS4C06NT1G

型號(hào)：NTMFS4C06NT1G
功能類別：晶體管 ,

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產(chǎn)品參數(shù)

【型號(hào)】:NTMFS4C06NT1G

【封裝】:5-DFN（5x6）（8-SOFL）

【品牌】:ON Semiconductor

【包裝】: 1500

【品質(zhì)】:

百分百全新原廠原裝正品

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 11A（Ta），69A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 4 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 26nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1683pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 770mW（Ta），30.5W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封裝/外殼 8-PowerTDFN

FET 類型	N 溝道
技術(shù)	MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）	30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）	11A（Ta），69A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）	4 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）	26nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）	1683pF @ 15V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	770mW（Ta），30.5W（Tc）
工作溫度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型	表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼	8-PowerTDFN

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