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| FET 類型 | N 通道 |
|---|---|
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss） | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） | 11.6A（Ta） |
| 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） | 10 毫歐 @ 11.6A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） | 1235pF @ 15V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝 | 8-SOIC |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
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