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FET 類型 | N 通道 |
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技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) |
漏源電壓(Vdss) | 55V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) | 17A(Tc) |
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) | 75 毫歐 @ 10A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250μA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) | 20nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) | 370pF @ 25V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 45W(Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安裝類型 | 表面貼裝型 |
供應(yīng)商器件封裝 | D-Pak |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |